SIHB080N60E-GE3

Name: SIHB080N60E-GE3
Brand: Vishay Siliconix

アナログ・電源

E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO

量産中アナログ・電源

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	80mOhm @ 17A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2557 pF @ 100 V
メーカー	Vishay Siliconix
実装タイプ	Surface Mount
Product Status	Active
シリーズ	E
技術	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA

ドレイン-ソース間電圧	600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	35A (Tc)
最大消費電力	227W (Tc)

パッケージ	Tube
サプライヤーデバイスパッケージ	TO-263 (D2PAK)

動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)