SIE882DF-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIE882DF-T1-GE3

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 25V 60A 10POLARPAK

量産中10-PolarPAK® (L)アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6400 pF @ 12.5 V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズTrenchFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C60A (Tc)
最大消費電力5.2W (Ta), 125W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case10-PolarPAK® (L)
サプライヤーデバイスパッケージ10-PolarPAK® (L)

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)