SIE836DF-T1-E3

Vishay Siliconix

SIE836DF-T1-E3

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 200V 18.3A 10POLARPK

旧品種10-PolarPAK® (SH)アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs130mOhm @ 4.1A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1200 pF @ 100 V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
Product StatusObsolete
シリーズTrenchFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C18.3A (Tc)
最大消費電力5.2W (Ta), 104W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case10-PolarPAK® (SH)
サプライヤーデバイスパッケージ10-PolarPAK® (SH)

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)