SIE830DF-T1-E3

Vishay Siliconix

SIE830DF-T1-E3

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 30V 50A 10POLARPAK

旧品種10-PolarPAK® (S)アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.2mOhm @ 16A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5500 pF @ 15 V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
Product StatusObsolete
シリーズWFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A (Tc)
最大消費電力5.2W (Ta), 104W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case10-PolarPAK® (S)
サプライヤーデバイスパッケージ10-PolarPAK® (S)

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)