SIDR610DP-T1-GE3

Name: SIDR610DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix

アナログ・電源

MOSFET N-CH 200V 8.9A/39.6A PPAK

量産中PowerPAK® SO-8アナログ・電源

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	31.9mOhm @ 10A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1380 pF @ 100 V
メーカー	Vishay Siliconix
実装タイプ	Surface Mount
Product Status	Active
シリーズ	TrenchFET®
技術	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA

ドレイン-ソース間電圧	200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	8.9A (Ta), 39.6A (Tc)
最大消費電力	6.25W (Ta), 125W (Tc)

動作温度	-55°C~150°C(TJ)