SIB412DK-T1-E3

Vishay Siliconix

SIB412DK-T1-E3

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 20V 9A PPAK SC75-6

旧品種PowerPAK® SC-75-6アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs34mOhm @ 6.6A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds535 pF @ 10 V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
Product StatusObsolete
シリーズTrenchFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Tc)
最大消費電力2.4W (Ta), 13W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® SC-75-6
サプライヤーデバイスパッケージPowerPAK® SC-75-6

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)