SIA850DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

SIA850DJ-T1-GE3

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 190V 950MA PPAK

旧品種PowerPAK® SC-70-6 Dualアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.8Ohm @ 360mA, 4.5V
FET FeatureSchottky Diode (Isolated)
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds90 pF @ 100 V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
Product StatusObsolete
シリーズLITTLE FOOT®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧190 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C950mA (Tc)
最大消費電力1.9W (Ta), 7W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® SC-70-6 Dual
サプライヤーデバイスパッケージPowerPAK® SC-70-6 Dual

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)