SI9933CDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI9933CDY-T1-GE3

データシート

アナログ・電源

MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC

量産中8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs58mOhm @ 4.8A, 4.5V
ベース品番SI9933
構成2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds665pF @ 10V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
梱包Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
製品ステータス量産中
シリーズTrenchFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A
Power - Max3.1W

機械特性

Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ8-SOIC

環境条件

動作温度-50°C ~ 150°C (TJ)