一般
| ベース品番 | SI8900 |
|---|---|
| 構成 | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| シリーズ | TrenchFET® |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1.1mA |
製品属性
取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
電気特性
| ドレイン-ソース間電圧 | 20V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.4A |
| Power - Max | 1W |
機械特性
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 10-UFBGA, CSPBGA |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 10-Micro Foot™ CSP (2x5) |
環境条件
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|