SI8819EDB-T2-E1

Vishay Siliconix

SI8819EDB-T2-E1

データシート

アナログ・電源

MOSFET P-CH 12V 2.9A 4MICRO FOOT

量産中4-XFBGAアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 1.5A, 3.7V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds650 pF @ 6 V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 3.7V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.9A (Ta)
最大消費電力900mW (Ta)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case4-XFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)