SI8816EDB-T2-E1

Vishay Siliconix

SI8816EDB-T2-E1

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT

量産中4-XFBGAアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs109mOhm @ 1A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds195 pF @ 15 V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズTrenchFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.5A (Ta)
最大消費電力500mW (Ta)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case4-XFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ4-Microfoot

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)