SI8808DB-T2-E1

Vishay Siliconix

SI8808DB-T2-E1

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 30V 4MICROFOOT

量産中4-UFBGAアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs95mOhm @ 1A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds330 pF @ 15 V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズTrenchFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.8A (Ta)
最大消費電力500mW (Ta)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case4-UFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ4-Microfoot

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)