取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 1A, 4.5V |
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| ベース品番 | SI8800 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3 nC @ 8 V |
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| シリーズ | TrenchFET® |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| ドレイン-ソース間電圧 | 20 V |
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| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| 最大消費電力 | 500mW (Ta) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
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| Package / Case | 4-XFBGA, CSPBGA |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 4-Microfoot |
| 動作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
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