SI8497DB-T2-E1

Vishay Siliconix

SI8497DB-T2-E1

データシート

アナログ・電源

MOSFET P-CH 30V 13A 6MICROFOOT

量産中6-UFBGAアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs53mOhm @ 1.5A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1320 pF @ 15 V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズTrenchFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A (Tc)
最大消費電力2.77W (Ta), 13W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case6-UFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ6-microfoot

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)