SI8481DB-T1-E1

Vishay Siliconix

SI8481DB-T1-E1

データシート

アナログ・電源

MOSFET P-CH 20V 9.7A 4MICRO FOOT

量産中4-UFBGAアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs21mOhm @ 3A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs47 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2500 pF @ 10 V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズTrenchFET® Gen III
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.7A (Tc)
最大消費電力2.8W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case4-UFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)