SI8469DB-T2-E1

Vishay Siliconix

SI8469DB-T2-E1

データシート

アナログ・電源

MOSFET P-CH 8V 4.6A 4MICROFOOT

旧品種4-UFBGAアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs64mOhm @ 1.5A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds900 pF @ 4 V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
Product StatusObsolete
シリーズTrenchFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±5V
Vgs(th) (Max) @ Id800mV @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧8 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.6A (Ta)
最大消費電力780mW (Ta), 1.8W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case4-UFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ4-Microfoot

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)