SI7972DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7972DP-T1-GE3

データシート

アナログ・電源

MOSFET 2N-CH 60V 8A PPAK SO8

量産中PowerPAK® SO-8 Dualアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 11A, 10V
ベース品番SI7972
構成2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1050pF @ 30V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズTrenchFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.7V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Tc)
Power - Max22W

機械特性

パッケージTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CasePowerPAK® SO-8 Dual
サプライヤーデバイスパッケージPowerPAK® SO-8 Dual

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)