SI7949DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7949DP-T1-GE3

データシート

アナログ・電源

MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO8

量産中PowerPAK® SO-8 Dualアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs64mOhm @ 5A, 10V
ベース品番SI7949
構成2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40nC @ 10V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
梱包Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
製品ステータス量産中
シリーズTrenchFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.2A
Power - Max1.5W

機械特性

Package / CasePowerPAK® SO-8 Dual
サプライヤーデバイスパッケージPowerPAK® SO-8 Dual

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)