SI7810DN-T1-E3

Vishay Siliconix

SI7810DN-T1-E3

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 100V 3.4A PPAK1212-8

量産中PowerPAK® 1212-8アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs62mOhm @ 5.4A, 10V
ベース品番SI7810
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17 nC @ 10 V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
梱包Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
製品ステータス量産中
シリーズTrenchFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.4A (Ta)
最大消費電力1.5W (Ta)

機械特性

Package / CasePowerPAK® 1212-8
サプライヤーデバイスパッケージPowerPAK® 1212-8

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)