SI7464DP-T1-E3

Vishay Siliconix

SI7464DP-T1-E3

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8

量産中PowerPAK® SO-8アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs240mOhm @ 2.8A, 10V
ベース品番SI7464
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18 nC @ 10 V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズTrenchFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.8A (Ta)
最大消費電力1.8W (Ta)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® SO-8
サプライヤーデバイスパッケージPowerPAK® SO-8

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)