SI7112DN-T1-E3

Vishay Siliconix

SI7112DN-T1-E3

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK1212-8

量産中PowerPAK® 1212-8アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5mOhm @ 17.8A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2610 pF @ 15 V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズTrenchFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11.3A (Tc)
最大消費電力1.5W (Ta)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® 1212-8
サプライヤーデバイスパッケージPowerPAK® 1212-8

環境条件

動作温度-50°C~150°C(TJ)