SI7102DN-T1-E3

Vishay Siliconix

SI7102DN-T1-E3

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

旧品種PowerPAK® 1212-8アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.8mOhm @ 15A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs110 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3720 pF @ 6 V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
Product StatusObsolete
シリーズTrenchFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C35A (Tc)
最大消費電力3.8W (Ta), 52W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® 1212-8
サプライヤーデバイスパッケージPowerPAK® 1212-8

環境条件

動作温度-50°C~150°C(TJ)