SI5999EDU-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI5999EDU-T1-GE3

データシート

アナログ・電源

MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

旧品種PowerPAK® ChipFET™ Dualアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs59mOhm @ 3.5A, 4.5V
ベース品番SI5999
構成2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds496pF @ 10V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
梱包Tape & Reel (TR)
製品ステータス旧品種
シリーズTrenchFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A
Power - Max10.4W

機械特性

Package / CasePowerPAK® ChipFET™ Dual
サプライヤーデバイスパッケージPowerPAK® ChipFet Dual

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)