SI5902BDC-T1-E3

Vishay Siliconix

SI5902BDC-T1-E3

データシート

アナログ・電源

MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8

生産終了8-SMD, Flat Leadsアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 3.1A, 10V
ベース品番SI5902
構成2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds220pF @ 15V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
梱包Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
製品ステータスLast Time Buy
シリーズTrenchFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Tc)
Power - Max3.12W

機械特性

Package / Case8-SMD, Flat Leads
サプライヤーデバイスパッケージ1206-8 ChipFET™

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)