SI5513CDC-T1-E3

Vishay Siliconix

SI5513CDC-T1-E3

データシート

アナログ・電源

MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.7A 1206-8

量産中8-SMD, Flat Leadsアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs55mOhm @ 4.3A, 4.5V
ベース品番SI5513
構成N and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.2nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds285pF @ 10V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
梱包Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
製品ステータス量産中
シリーズTrenchFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A, 3.7A
Power - Max3.1W

機械特性

Package / Case8-SMD, Flat Leads
サプライヤーデバイスパッケージ1206-8 ChipFET™

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)