SI5475DC-T1-E3

Vishay Siliconix

SI5475DC-T1-E3

データシート

アナログ・電源

MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8

旧品種8-SMD, Flat Leadアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs31mOhm @ 5.5A, 4.5V
ベース品番SI5475
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29 nC @ 4.5 V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
Product StatusObsolete
シリーズTrenchFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id450mV @ 1mA (Min)

電気特性

ドレイン-ソース間電圧12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.5A (Ta)
最大消費電力1.3W (Ta)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case8-SMD, Flat Lead
サプライヤーデバイスパッケージ1206-8 ChipFET™

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)