SI5410DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI5410DU-T1-GE3

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 40V 12A PPAK

旧品種PowerPAK® ChipFET™ Singleアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 6.6A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1350 pF @ 20 V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
梱包Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
製品ステータス旧品種
シリーズTrenchFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Tc)
最大消費電力3.1W (Ta), 31W (Tc)

機械特性

Package / CasePowerPAK® ChipFET™ Single
サプライヤーデバイスパッケージPowerPAK® ChipFET™ Single

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)