SI4966DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4966DY-T1-GE3

データシート

アナログ・電源

MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC

旧品種8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 7.1A, 4.5V
ベース品番SI4966
構成2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs50nC @ 4.5V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
梱包Tape & Reel (TR)
製品ステータス旧品種
シリーズTrenchFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧20V
Power - Max2W

機械特性

Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ8-SOIC

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)