SI4936CDY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4936CDY-T1-E3

データシート

アナログ・電源

MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC

量産中8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 5A, 10V
ベース品番SI4936
構成2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds325pF @ 15V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
梱包Tape & Reel (TR)
製品ステータス量産中
シリーズTrenchFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.8A
Power - Max2.3W

機械特性

Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ8-SOIC

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)