SI4890DY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4890DY-T1-E3

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

生産終了8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 11A, 10V
ベース品番SI4890
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 5 V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
梱包Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
製品ステータスLast Time Buy
シリーズTrenchFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id800mV @ 250µA (Min)

電気特性

ドレイン-ソース間電圧30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Ta)
最大消費電力2.5W (Ta)

機械特性

Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ8-SOIC

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)