SI4850EY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4850EY-T1-E3

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 60V 6A 8SO

量産中8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 6A, 10V
ベース品番SI4850
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27 nC @ 10 V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズTrenchFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Ta)
最大消費電力1.7W (Ta)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ8-SOIC

環境条件

動作温度-55°C~175°C(TJ)