SI4850BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4850BDY-T1-GE3

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 60V 8.4A/11.3A 8SO

量産中8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs19.5mOhm @ 10A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds790 pF @ 30 V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
梱包Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
製品ステータス量産中
シリーズTrenchFET® Gen IV
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.8V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.4A (Ta), 11.3A (Tc)
最大消費電力2.5W (Ta), 4.5W (Tc)

機械特性

Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ8-SO

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)