SI4778DY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4778DY-T1-E3

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 25V 8A 8SO

旧品種8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs23mOhm @ 7A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds680 pF @ 13 V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
Product StatusObsolete
シリーズTrenchFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Tc)
最大消費電力2.4W (Ta), 5W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ8-SOIC

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)