SI4464DY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4464DY-T1-E3

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO

量産中8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs240mOhm @ 2.2A, 10V
ベース品番SI4464
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18 nC @ 10 V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズTrenchFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.7A (Ta)
最大消費電力1.5W (Ta)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ8-SOIC

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)