SI4425FDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4425FDY-T1-GE3

データシート

アナログ・電源

MOSFET P-CH 30V 12.7/18.3A 8SOIC

量産中8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs9.5mOhm @ 10A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1620 pF @ 15 V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズTrenchFET® Gen IV
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)+16V, -20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12.7A (Ta), 18.3A (Tc)
最大消費電力2.3W (Ta), 4.8W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ8-SOIC

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)