SI4190DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4190DY-T1-GE3

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOIC

旧品種8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.8mOhm @ 15A, 10V
ベース品番SI4190
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2000 pF @ 50 V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
Product StatusObsolete
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.8V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Tc)

機械特性

パッケージCut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ8-SOIC