SI4116DY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4116DY-T1-E3

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 25V 18A 8SO

量産中8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.6mOhm @ 10A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1925 pF @ 15 V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
梱包Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
製品ステータス量産中
シリーズTrenchFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.4V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C18A (Tc)
最大消費電力2.5W (Ta), 5W (Tc)

機械特性

Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ8-SOIC

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)