SI3475DV-T1-E3

Vishay Siliconix

SI3475DV-T1-E3

データシート

アナログ・電源

MOSFET P-CH 200V 950MA 6TSOP

旧品種SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.61Ohm @ 900mA, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds500 pF @ 50 V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
Product StatusObsolete
シリーズTrenchFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C950mA (Tc)
最大消費電力2W (Ta), 3.2W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
サプライヤーデバイスパッケージ6-TSOP

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)