取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 164mOhm @ 2.1A, 10V |
|---|---|
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 395 pF @ 40 V |
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 実装タイプ | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| シリーズ | TrenchFET® Gen IV |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| ドレイン-ソース間電圧 | 80 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.1A (Ta), 3A (Tc) |
| 最大消費電力 | 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| サプライヤーデバイスパッケージ | SOT-23-3 (TO-236) |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
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