SI2369BDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI2369BDS-T1-GE3

データシート

アナログ・電源

MOSFET P-CH 30V 5.6A/7.5A SOT23

量産中TO-236-3, SC-59, SOT-23-3アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs27mOhm @ 5A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds745 pF @ 15 V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズTrenchFET® Gen IV
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)+16V, -20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.6A (Ta), 7.5A (Tc)
最大消費電力1.3W (Ta), 2.5W (Tc)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージSOT-23-3 (TO-236)

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)