SI2325DS-T1-E3

Vishay Siliconix

SI2325DS-T1-E3

データシート

アナログ・電源

MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3

量産中TO-236-3, SC-59, SOT-23-3アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2Ohm @ 500mA, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds510 pF @ 25 V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
Product StatusActive
シリーズTrenchFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C530mA (Ta)
最大消費電力750mW (Ta)

機械特性

パッケージTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージSOT-23-3 (TO-236)

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)