SI1025X-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI1025X-T1-GE3

データシート

アナログ・電源

MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC89

量産中SOT-563, SOT-666アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs4Ohm @ 500mA, 10V
ベース品番SI1025
構成2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.7nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds23pF @ 25V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
梱包Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
製品ステータス量産中
シリーズTrenchFET®
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C190mA
Power - Max250mW

機械特性

Package / CaseSOT-563, SOT-666
サプライヤーデバイスパッケージSC-89 (SOT-563F)

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)