一般
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 4.8A, 5V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.4 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400 pF @ 25 V |
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 実装タイプ | Through Hole |
| 梱包 | Tube |
| 製品ステータス | 量産中 |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |