IRLD110

Vishay Siliconix

IRLD110

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP

旧品種4-DIP (0.300", 7.62mm)アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs540mOhm @ 600mA, 5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds250 pF @ 25 V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプThrough Hole
Product StatusObsolete
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1A (Ta)
最大消費電力1.3W (Ta)

機械特性

パッケージTube
Package / Case4-DIP (0.300", 7.62mm)
サプライヤーデバイスパッケージ4-HVMDIP

環境条件

動作温度-55°C~175°C(TJ)