IRFR1N60APBF-BE3

Vishay Siliconix

IRFR1N60APBF-BE3

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK

量産中TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs7Ohm @ 840mA, 10V
ベース品番IRFR1
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds229 pF @ 25 V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
梱包Tube
製品ステータス量産中
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.4A (Tc)
最大消費電力36W (Tc)

機械特性

Package / CaseTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージTO-252AA

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)