IRFIBF30GPBF

Vishay Siliconix

IRFIBF30GPBF

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220-3

量産中TO-220-3 Full Pack, Isolated Tabアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.7Ohm @ 1.1A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1200 pF @ 25 V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプThrough Hole
Product StatusActive
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.9A (Tc)
最大消費電力35W (Tc)

機械特性

パッケージTube
Package / CaseTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
サプライヤーデバイスパッケージTO-220-3

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)