IRFIB5N65A

Vishay Siliconix

IRFIB5N65A

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220-3

旧品種TO-220-3 Full Pack, Isolated Tabアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs930mOhm @ 3.1A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1417 pF @ 25 V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプThrough Hole
梱包Tube
製品ステータス旧品種
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.1A (Tc)
最大消費電力60W (Tc)

機械特性

Package / CaseTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
サプライヤーデバイスパッケージTO-220-3

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)