IRFD210

Vishay Siliconix

IRFD210

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP

旧品種4-DIP (0.300", 7.62mm)アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 360mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds140 pF @ 25 V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプThrough Hole
Product StatusObsolete
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C600mA (Ta)
最大消費電力1W (Ta)

機械特性

パッケージTube
Package / Case4-DIP (0.300", 7.62mm)
サプライヤーデバイスパッケージ4-HVMDIP

環境条件

動作温度-55°C~150°C(TJ)