IRFBC30ASPBF

Vishay Siliconix

IRFBC30ASPBF

データシート

アナログ・電源

MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK

量産中TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263ABアナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.2Ohm @ 2.2A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds510 pF @ 25 V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプSurface Mount
梱包Tube
製品ステータス量産中
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.6A (Tc)
最大消費電力74W (Tc)

機械特性

Package / CaseTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージTO-263 (D2PAK)

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)