IRF840HPBF

Vishay Siliconix

IRF840HPBF

データシート

アナログ・電源

POWER MOSFET TO220AB, 850 M @ 10

量産中TO-220-3アナログ・電源

製品属性

取り込まれた製品属性から整理した電気的、機械的、環境パラメータです。

一般

Rds On (Max) @ Id, Vgs850mOhm @ 4.8A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1059 pF @ 25 V
メーカーVishay Siliconix
実装タイプThrough Hole
Product StatusActive
技術MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

電気特性

ドレイン-ソース間電圧500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.3A (Tc)
最大消費電力125W (Tc)

機械特性

パッケージTube
Package / CaseTO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージTO-220AB

環境条件

動作温度-55°C ~ 150°C (TJ)